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晶閘管全稱晶體閘流管，又叫可控硅整流管。內部是P-N-P-N半導體結構，有三個極性，陽極、陰極、門極。
晶閘管有硅整流管的特性，能在高壓、大電流下進行整流工作，是典型的小電流控制大電流器件，且工作過程中還可加以控制，所以廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、你變及變頻等電子電路中。衍生出的晶閘管也是多種多樣的，主要有：雙向晶閘管、快速晶閘管、逆導晶閘管、光控晶閘管等。
使用注意事項
選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。
5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
損壞原因判別
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。
3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、 邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。
長電晶閘管系列產品清單：
| 晶閘管 可控硅整流管 | VDRM/VRRM | IT(RMS) | ITSM | IGT | VGT | 封裝形式 |
| (V) | (A) | (A) | (uA) | (V) | ||
| MCR100-6 | 400 | 0.8 | 10 | 200 | 0.8 | TO-92 |
| MCR100-6 | 400 | 0.8 | 10 | 200 | 0.8 | SOT-89-3L |
| MCR100-8 | 600 | 0.8 | 10 | 200 | 0.8 | TO-92 |
| MCR100-8 | 600 | 0.8 | 10 | 200 | 0.8 | SOT-89-3L |
| MCRN100-6 | 400 | 0.8 | 10 | 200 | 0.8 | SOT-89-3L |
| MCRN100-8 | 600 | 0.8 | 10 | 200 | 0.8 | SOT-89-3L |
| PCR0.6 | 600 | 0.6 | ---- | 120 | 0.8 | TO-92 |
| PCR0.6 | 600 | 0.6 | ---- | 120 | 0.8 | SOT-23 |
| 晶閘管 三端雙向可控硅 | VDRM | IT(RMS) | ITSM | IGT(I,II,III,IV) | VGT | 封裝形式 |
| (V) | (A) | (A) | (uA) | (V) | ||
| BT134 | 600 | 4 | - | 20000 | 1.45 | TO-126 |
| BT136 | 600 | 6 | 25 | 10000 | 1.45 | TO-220-3L |
| BT136S | 600 | 6 | 25 | 10000 | 1.45 | TO-252-2L(4R) |
| BT137S | 800 | 8 | 65 | 100000 | 1.5 | TO-252-2L(4R) |
| BTB04 | 400 | 4 | 42 | 25000 | 1.5 | TO-220-3L |
| BTB06 | 600 | 6 | 60 | 25000 | 1.45 | TO-220-3L |
| BTB12 | 800 | 12 | 120 | 50000 | 1.3 | TO-220-3L |
| MAC97A6 | 400 | 1 | 8 | 5000 | 1.5 | TO-92 |
| MAC97A8 | 600 | 1 | 8 | 5000 | 1.5 | TO-92 |
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